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硅片清洗劑清洗工藝

發(fā)布時(shí)間：

2024-02-26

　　2.1RCA清洗法

　　RCA清洗法又稱工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)濕法清洗工藝，是由美國(guó)無(wú)線電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀(jì)60年代提出后，由此得名。

　　RCA濕法清洗由兩種不同的化學(xué)溶液組成，主要洗液成分見表2.1，表2.2，表2.3。

　　SPM具有很高的金屬氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能將有機(jī)物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機(jī)沾污和部分金屬，當(dāng)沾污特別嚴(yán)重時(shí)，難以去除干凈。

　　DHF(HF)，可以去除硅片表面的自然氧化膜，同時(shí)抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片幾乎不被腐蝕。

　　表2.1 基礎(chǔ)的RCA清洗劑配方

　　SC-1清洗液是能去除顆粒和有機(jī)物質(zhì)的堿性溶液。由于過(guò)氧化氫為強(qiáng)氧化劑，能氧化硅片表面和顆粒。顆粒上的氧化層能提供消散機(jī)制，分裂并溶解顆粒，破壞顆粒和硅片表面之間的附著力，而脫離硅表面。過(guò)氧化氫的氧化效應(yīng)也在硅片表面形成一個(gè)保護(hù)層，阻止顆粒重新粘附在硅片表面。隨后將硅片放入到10%的HF溶液中浸泡2分鐘，可以將硅片表面自然生成的氧化膜去除并抑制氧化膜再次形成，同時(shí)HF酸還可以將附著在氧化膜上的金屬污染物溶解掉。

　　SC-2濕法清洗工藝用于去除硅片表面的金屬。用高氧化能力和低PH值的溶液，才能去除表面的金屬粘污。此時(shí)，金屬被氧化成為離子并溶于酸液中，金屬和有機(jī)物粘污中的電子被清洗液俘獲并氧化。因此電離的金屬溶于溶液中，而有機(jī)雜質(zhì)被分解。這就是RCA清洗方法的機(jī)理。繼續(xù)用HF在室溫下清洗硅片2分鐘，最后用去離子水超聲清洗數(shù)次去除殘留的洗液。

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