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硅片清洗劑洗劑配方

發(fā)布時(shí)間：

2024-02-26

　　改進(jìn)的RCA清洗工藝溶液配比見表2.3。

　　RCA-1(H2O/NH4OH/H2O2)型洗液：硅片表面的自然氧化層(SiO2)和Si被NH4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便分散于清洗液中，從而去除表面的顆粒。在NH4OH腐蝕硅表面的同時(shí)，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。

　　RCA-2(H2O/HCl/H2O2)：用于除去硅片表面的Na、Fe、Mg等金屬沾污，在室溫下就能除去Fe和Zn。

　　表2.3 改進(jìn)的RCA清洗劑配方

　　2.2HF/O3清洗法

　　2.2.1 HF/O3槽式清洗法

　　因?yàn)槌粞醯倪€原電勢(shì)比硫酸、鹽酸、雙氧水都高，因此用臭氧超凈水去除有機(jī)物及金屬的方法，效率比用傳統(tǒng)的SC、SPM、RCA等高。此外，該方法在室溫下清洗，不用進(jìn)行廢液處理，因此比傳統(tǒng)方法占有絕大優(yōu)勢(shì)。

　　德國(guó)ASTEC公司設(shè)計(jì)了一套基于HF/O3清洗的工藝，稱為ACD。該法由清洗和干燥兩部分組成，廣泛用于Φ300mm硅片的清洗。清洗步驟：清洗—純水沖洗—干燥，可同時(shí)加入純水、HF、O3、表面活性劑，超聲波清洗。

　　2.2.2 HF/O3單片清洗法

　　日本索尼公司研制的HF/O3單片旋轉(zhuǎn)式清洗法，可以有效去除硅表面的有機(jī)沾污、無機(jī)沾污、金屬沾污等。此設(shè)備上有三路供液系統(tǒng)，可同時(shí)將HF酸、溶解油臭氧的超純水、超純水供應(yīng)到硅片中心。在此過程中，首先將HF酸、溶解油臭氧的超純水交替供應(yīng)到硅片中心，每種試劑供應(yīng)約10s交替一次，接著供應(yīng)純水進(jìn)行沖洗。最后用旋轉(zhuǎn)干燥法對(duì)硅片進(jìn)行干燥，為避免旋轉(zhuǎn)干燥法給硅片表面帶來水跡，可以改用氮?dú)獯怠?/p>

　　2.3熱態(tài)洗硅成膜劑

　　熱態(tài)洗硅成膜劑，包括A劑和B劑，A劑包含強(qiáng)堿性催化劑5%~35%、無機(jī)溶劑65%~95%，顯色劑微量，原料總和為100%;B劑包含分析純磷酸三鈉03%~3%、分析純聯(lián)氨0.05%~2%，與兩種無機(jī)溶劑，其原料總和為100%;使用時(shí)由A劑和B劑按照體積比1:10的比例混合使用，混合后溶液比重為1.008g/ml~1.031g/ml。

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硅片清洗劑清洗工藝

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